碳化硅肖特基二極管
產品詳情

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(4.9W/mK)使得功率半導體器件效率更高,運行速度更快,并且在設備的成本、體積和重量等方面都得到了降低?;景雽w碳化硅肖特基二極管,提供行業標準封裝,具有優越的性能和極高的工作效率。


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產品優勢


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零反向恢復抗浪涌電流能力強高溫反向漏電低雪崩耐量高


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*:AEC-Q101進行中

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